Crossbar 發布新型 RRAM 芯片,能以郵票大小存儲 1TB 的數據

數碼情報站 於 06/08/2013 發表 收藏文章
位於美國加州的創業公司Crossbar 今天發布了一種新型的芯片,能以郵票大小的體積存儲1TB 的數據。這種芯片採用RRAM 技術(可變電阻式記憶體,Resistive Random Access Memory),可顛覆傳統的閃速存儲器,數據存儲速度是其20 倍,很有可能成為每年600 億美元閃存市場的有力競爭者。

由於閃存是從iPhone 到平板電腦到數碼相機都必備的硬件之一,因此Crossbar 的前景被投資者看好,獲得了來自Kleiner Perkins Caufield & Byers,Artiman Ventures 和Northern Light Venture Capital 的2500 萬投資。

和閃存一樣,RRAM 也是一種非易失性的存儲器,這意味著數據可以永久儲存不丟失,哪怕是在電源被切斷的情況下。而Crossbar 在其設計中採用了三層結構的設計——一個非金屬底層電極,中間的無定形矽交換介質,還有最上層的金屬電極。當電壓施加至兩電極時,它交換介質內會形成一定數量的電阻細絲,因此其電阻式可變換的。

通過Crossbar 的芯片,未來手機和平板的存儲速度、備份、歸檔等各方面性能都將有所提升。而從企業角度出發,供應商可以在數據中心中搭建SSD 和雲計算設備。 RRAM 還可運用於物聯網中,甚至智能電錶、恆溫器這樣的智能設備,以及諸如Google Glass 等可穿戴式設備,因為它的電耗更低,可以延長電池使用壽命。

目前Crossbar 團隊有20 位成員,正準備自己製造芯片並向市場出售,同時也打算向system-on-a-chip 的供應商提供技術支持,在同個芯片中將RRAM 和其它組件聯繫到一起。 Crossbar 申請了100 項相關專利,其中30 項已被批獲。

IHS 的高級分析師 Michael Yang 說:

引用我們今天所存儲的90% 的數據都是近兩年產生的。實時的數據生成和接收越來越成為現代生活的一部分,並且在未來幾年還會快速增長。然而,我們過去一直沿用至今的存儲方式,比如二維的NAND(一種存儲技術),在物理和工程方面都顯露出巨大的局限性。而Crossbar 的RRAM 恰好邁過了這道門檻,因此很有可能成為未來取代性的存儲技術解決方案。

資料來源:36Kr
標籤: Crossbar  RRAM 芯片  

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