位於美國加州的創業公司Crossbar 今天發布了一種新型的芯片，能以郵票大小的體積存儲1TB 的數據。這種芯片採用RRAM 技術（可變電阻式記憶體，Resistive Random Access Memory），可顛覆傳統的閃速存儲器，數據存儲速度是其20 倍，很有可能成為每年600 億美元閃存市場的有力競爭者。
由於閃存是從iPhone 到平板電腦到數碼相機都必備的硬件之一，因此Crossbar 的前景被投資者看好，獲得了來自Kleiner Perkins Caufield & Byers，Artiman Ventures 和Northern Light Venture Capital 的2500 萬投資。
和閃存一樣，RRAM 也是一種非易失性的存儲器，這意味著數據可以永久儲存不丟失，哪怕是在電源被切斷的情況下。而Crossbar 在其設計中採用了三層結構的設計——一個非金屬底層電極，中間的無定形矽交換介質，還有最上層的金屬電極。當電壓施加至兩電極時，它交換介質內會形成一定數量的電阻細絲，因此其電阻式可變換的。
通過Crossbar 的芯片，未來手機和平板的存儲速度、備份、歸檔等各方面性能都將有所提升。而從企業角度出發，供應商可以在數據中心中搭建SSD 和雲計算設備。 RRAM 還可運用於物聯網中，甚至智能電錶、恆溫器這樣的智能設備，以及諸如Google Glass 等可穿戴式設備，因為它的電耗更低，可以延長電池使用壽命。
目前Crossbar 團隊有20 位成員，正準備自己製造芯片並向市場出售，同時也打算向system-on-a-chip 的供應商提供技術支持，在同個芯片中將RRAM 和其它組件聯繫到一起。 Crossbar 申請了100 項相關專利，其中30 項已被批獲。
IHS 的高級分析師 Michael Yang 說：
資料來源：36Kr
由於閃存是從iPhone 到平板電腦到數碼相機都必備的硬件之一，因此Crossbar 的前景被投資者看好，獲得了來自Kleiner Perkins Caufield & Byers，Artiman Ventures 和Northern Light Venture Capital 的2500 萬投資。
和閃存一樣，RRAM 也是一種非易失性的存儲器，這意味著數據可以永久儲存不丟失，哪怕是在電源被切斷的情況下。而Crossbar 在其設計中採用了三層結構的設計——一個非金屬底層電極，中間的無定形矽交換介質，還有最上層的金屬電極。當電壓施加至兩電極時，它交換介質內會形成一定數量的電阻細絲，因此其電阻式可變換的。
通過Crossbar 的芯片，未來手機和平板的存儲速度、備份、歸檔等各方面性能都將有所提升。而從企業角度出發，供應商可以在數據中心中搭建SSD 和雲計算設備。 RRAM 還可運用於物聯網中，甚至智能電錶、恆溫器這樣的智能設備，以及諸如Google Glass 等可穿戴式設備，因為它的電耗更低，可以延長電池使用壽命。
目前Crossbar 團隊有20 位成員，正準備自己製造芯片並向市場出售，同時也打算向system-on-a-chip 的供應商提供技術支持，在同個芯片中將RRAM 和其它組件聯繫到一起。 Crossbar 申請了100 項相關專利，其中30 項已被批獲。
IHS 的高級分析師 Michael Yang 說：
引用我們今天所存儲的90% 的數據都是近兩年產生的。實時的數據生成和接收越來越成為現代生活的一部分，並且在未來幾年還會快速增長。然而，我們過去一直沿用至今的存儲方式，比如二維的NAND（一種存儲技術），在物理和工程方面都顯露出巨大的局限性。而Crossbar 的RRAM 恰好邁過了這道門檻，因此很有可能成為未來取代性的存儲技術解決方案。
資料來源：36Kr
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