此前,eMMC閃存標準佔據着絕大多數的手機、平板等內嵌式存儲器市場,從eMMC 4.3時代發展到最新的eMMC 5.0標準,內嵌式閃傳性能有了很大的提高。不過,從去年3月份UFS 2.0閃存標準公佈以來,憑藉超高速的讀寫,大有取代eMMC的趨勢。最新發布的旗艦機型小米5,一加3和樂視Max2等機型,均採用了UFS 2.0閃存技術。面對這一趨勢,三星首先將UFS 2.0標準應用在了內存卡上。
據最新消息,三星領先業界發佈了一系列不同容量版本的UFS內存卡,雖然和microSD卡長得差不多,但無論是連續讀寫還是隨機讀寫,據三星介紹都和microSD卡不是一個數量級的。此外,由於UFS卡的金手指觸點和傳統microSD卡完全不同,因此將無法兼容。
三星表示,256GB版本的UFS內存卡連續讀取數據的速度可以達到530M/s,連續寫入數據的速度可以達到170M/s,分別是EVO+ microSD卡讀取速的5倍,寫入速度的2-3倍。同樣是三星發佈的EVO+此前號稱是最快的microSD卡,宣傳的讀取速度是100M/s,寫入速度50M/s(但經一些科技媒體實測讀取速度只有80M/s,寫入速度是20M/s)。
隨機讀寫方面,三星表示256GB版本的UFS卡將達到40,000 IOPS(每秒輸出/輸出操作次數)的隨機讀取速率,這一數字是傳統microSD卡的20倍;35,000 IOPS的隨機寫入速率,是傳統卡的350倍(小編再三確認,的確是350倍)。
雖然三星宣稱很快,不過,要看到UFS卡在實際應用場景中的具體表現之後才能下結論。據稱,三星將很可能在即將發佈的Galaxy Note 7上支持UFS標準的內存卡擴展,讓我們拭目以待吧。
來源:engadget,網易,pconline
資料來源:雷鋒網
作者/編輯:恆亮
據最新消息,三星領先業界發佈了一系列不同容量版本的UFS內存卡,雖然和microSD卡長得差不多,但無論是連續讀寫還是隨機讀寫,據三星介紹都和microSD卡不是一個數量級的。此外,由於UFS卡的金手指觸點和傳統microSD卡完全不同,因此將無法兼容。
三星表示,256GB版本的UFS內存卡連續讀取數據的速度可以達到530M/s,連續寫入數據的速度可以達到170M/s,分別是EVO+ microSD卡讀取速的5倍,寫入速度的2-3倍。同樣是三星發佈的EVO+此前號稱是最快的microSD卡,宣傳的讀取速度是100M/s,寫入速度50M/s(但經一些科技媒體實測讀取速度只有80M/s,寫入速度是20M/s)。
隨機讀寫方面,三星表示256GB版本的UFS卡將達到40,000 IOPS(每秒輸出/輸出操作次數)的隨機讀取速率,這一數字是傳統microSD卡的20倍;35,000 IOPS的隨機寫入速率,是傳統卡的350倍(小編再三確認,的確是350倍)。
雖然三星宣稱很快,不過,要看到UFS卡在實際應用場景中的具體表現之後才能下結論。據稱,三星將很可能在即將發佈的Galaxy Note 7上支持UFS標準的內存卡擴展,讓我們拭目以待吧。
來源:engadget,網易,pconline
資料來源:雷鋒網
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