強迫症有救了！科學家證實：非侵入性磁刺激可消除負面記憶

引用科學背後是嚴謹的數據，需要經年累月的嘗試與驗證，而藝術卻有着無限的想象空間。

「消除負面記憶」，這件我們一直以來希望實現、卻又害怕實現的事情，在不少科幻作品中早有所體現；而在現實生活中，利用基因編輯、注射藥劑等方式消除令人痛苦的回憶，也開始成為眾多科研人員的着眼點。

一組來自意大利博洛尼亞大學的研究人員提出了一種設想：以非侵入性的方式，對大腦特定部位進行磁刺激，從而刪除負面記憶。
當地時間 7 月 30 日，他們將實驗成果發表於學術期刊《當代生物學》（Current Biology），論文題為 State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear（經前額葉皮層的狀態依賴性磁刺激干擾恐懼記憶重建、防止恐懼情緒迴歸）。


重複磁刺激實現記憶反固化

要刺激大腦消除記憶，首先要找準位置——「背外側前額葉皮層」。

在我們的大腦中，有一塊名為前額葉皮層的部位，認知、情緒、疼痛和行為管理等都與之相關。

顧名思義，前額葉皮層就是我們前額頭後面的那部分大腦皮層，靈長類生物在進化中變化最大的也正是這一部位。

這一部位有多智能呢？如果有人跟你提起一處你曾去過的風景名勝，你的大腦各個部位會提取出相關的信息，比如地理位置、建築風格、顏色等等，而所有零散的信息只要經過前額葉皮層就可得到整合，所有你記憶中關於那個風景名勝的信息得以輸出。
如下圖所示，前額葉皮層包括背外側前額葉皮層（Dorsolateral Prefrontal Cortex，dlPFC）和眶額皮層（Orbitofrontal Cortex），而博洛尼亞大學團隊選擇的是能夠控制記憶檢索、激活記憶、重組記憶的 dlPFC。


找到目標位置後，科研團隊就該考慮如何刺激大腦了。
實際上，要想把一段短期記憶變成長期記憶，大腦就要做出努力，避免這段記憶因為刺激或者傷病受干擾，而這個過程就叫做「固化」（consolidation）。

可見，想要消除一段記憶，就是要完成固化的反過程，將記憶的狀態由穩定變為不穩定。而這種反過程被科學家們稱為是「反固化」（reconsolidation）。

博洛尼亞大學團隊決定通過重複經顱磁刺激（rTMS）的方式進行反固化，這種方式無痛、無創，可以改變 dlPFC 部位神經活動的磁場。

至此，消除記憶的原理已經很明確了。那麼，具體如何操作呢？

研究人員選定了 84 位身體狀況良好（這裏指沒有與實驗中將產生的恐懼記憶類似的任何記憶）的參與者進行實驗——參與者接受負面刺激形成恐懼記憶，研究人員於次日（24 小時後）通過提示激活參與者的恐懼記憶並觀察其反應，再對參與者進行 10 分鐘的 rTMS。
用皮電反應證明可行性

這之後，研究人員對參與者進行了皮電反應（GSR）。

所謂皮電反應，實際上是心理學領域的一項情緒生理指標，代表着機體受刺激時皮膚電傳導的變化。這項實驗中，皮膚電傳導的變化反映了 rTMS 的效果好壞。

皮電反應的結果顯示，在 rTMS 次日（24 小時後），參與者對恐懼記憶的生理反應有顯著減少。


值得一提的是，前額葉皮層在一定程度上具有不對稱性，所以研究人員在實驗中分別檢測了參與者左右兩側的 dlPFC 變化，並發現 rTMS 次日（24 小時後）左右兩側 dlPFC 對恐懼記憶的生理反應減少的程度相近——也就是説不論在哪一側，rTMS 都發揮了積極效用。

不過，研究團隊也發現下列情況中參與者對恐懼記憶的生理反應並未有任何變化：

• 在 rTMS 剛進行之後就對參與者進行皮電反應；
• 對沒有恐懼記憶的參與者進行 rTMS。

更為重要的是，在經過 rTMS 之後，參與者的恐怖記憶也並未恢復。
綜合上述結果來看，rTMS 對 dlPFC 的影響將隨着時間的推移而變化；在記憶反固化過程中，以無創的方式刺激大腦消除記憶是可行的。

基於此，研究人員認為：

引用這些發現為理解恐懼記憶重新整合的機制提供了方向；同時，對於靶向情緒、適應不良記憶也具有潛在臨床意義。這些發現將對恐懼症、創傷後應激障礙、強迫症等疾病的治療提供思路。

這裏需要解釋的是，在強迫症的範疇中，有一種記憶強迫症。其原因在於，由於心理防禦意識過強，強迫記憶會帶來心理與行為方面的障礙，使得患者整天處於惶恐、焦慮的情緒中。有研究表明，記憶強迫症患者時常會將大腦空間都留給各種回憶，因此會出現記憶問題。
實際上，各地的研究團隊已經研發出了不少消除負面記憶的技術，比如：

• 在大腦特定區域注射異丙酚（一種全身麻醉劑），給藥 24 小時後負面記憶得以被破壞；
• 利用光遺傳學技術刺激海馬體的特定區域，實現對消極記憶的消除；
• 開發受光遺傳學啟發的類腦芯片，通過模仿大腦存儲和刪除信息的方式消除消極記憶；
• 基於基因編輯實現特定記憶的精準刪除。

可見，消除負面記憶已經不止存在於藝術家的想象之中，用前沿技術實現科幻作品中的構想成為可能。
引用來源：

https://doi.org/10.1016/j.cub.2020.06.091

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資料來源：雷鋒網
作者/編輯：付靜